一、玻璃基板:先進(jìn)封裝的變革,重新定義基板
(一)英特爾持續(xù)加碼玻璃基板,高舉封裝工藝變革旗幟
英特爾一直是玻璃基板領(lǐng)域的探索引領(lǐng)者。根據(jù)三疊紀(jì)官網(wǎng),早在十年前英特爾就開始尋找有機(jī)基板的替代品,并在亞利桑那州的CH8工廠投資十億美元試生產(chǎn)玻璃基板。作為封裝基板領(lǐng)域的探索引領(lǐng)者,2023年9月英特爾展示了一款功能齊全的基于玻璃基板的測(cè)試芯片,并計(jì)劃于2030年開始批量生產(chǎn),該芯片使用75微米的玻璃通孔,深寬比為20:1,核心厚度為1毫米。英特爾的新技術(shù)不僅僅停留在玻璃基板的層面,還引入了FoverosDirect(一種具有直接銅對(duì)銅鍵合功能的高級(jí)封裝技術(shù)),為CPO(Co-packagedOptics,可共同封裝光學(xué)元件技術(shù))通過玻璃基板設(shè)計(jì)利用光學(xué)傳輸?shù)姆绞皆黾有盘?hào),并聯(lián)合康寧通過CPO工藝集成電光玻璃基板探索400G及以上的集成光學(xué)解決方案。英特爾與設(shè)備材料合作伙伴展開了密切合作,與玻璃加工廠LPKF和德國?;?/span>Schott共同致力于玻璃基板的產(chǎn)品化。另外,英特爾還帶頭組建了一個(gè)生態(tài)系統(tǒng),已經(jīng)擁有大多數(shù)主要的EDA和IP供應(yīng)商、云服務(wù)提供商和IC設(shè)計(jì)服務(wù)提供商。
英特爾認(rèn)為玻璃基板有望成為下一代主流的基板材質(zhì)。根據(jù)ANANDTECH引用的Intel展示PPT,復(fù)盤芯片基板的發(fā)展歷史,自1970年引線框架大規(guī)模使用于芯片封裝后,英特爾認(rèn)為半導(dǎo)體行業(yè)主流的基板技術(shù)將會(huì)每15年改變一次,未來行業(yè)將會(huì)迎來玻璃基板的轉(zhuǎn)變,而從有機(jī)板到玻璃基板的這個(gè)轉(zhuǎn)變將在近10年發(fā)生,同時(shí)英特爾也認(rèn)為玻璃基板的出現(xiàn)并不會(huì)馬上完全取代有機(jī)板,而是會(huì)在未來一段時(shí)間內(nèi)和有機(jī)板共存。
玻璃基板、CPO工藝有望成為混合鍵合以后的下一代先進(jìn)封裝工藝。根據(jù)ANANDTECH引用的Intel展示PPT,英特爾認(rèn)為基于玻璃基板、CPO將是先進(jìn)封裝下一代主流技術(shù)。相比有機(jī)板和硅,玻璃基板的性能和密度均有提高,可以允許在更小的占用面積下封裝更多的Chiplets,以此帶來更低的整體成本的功耗,讓未來數(shù)據(jù)中心和AI產(chǎn)品得到大幅改進(jìn)。根據(jù)未來半導(dǎo)體,英特爾研發(fā)的CPO也可以通過玻璃基板進(jìn)行設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)利用光學(xué)傳輸?shù)姆绞絹碓黾有盘?hào),提高功率的同時(shí)降低成本。
(二)玻璃基板:材料與工藝的變革
玻璃基板主要用來取代原先的硅/有機(jī)物基板和中介層,可應(yīng)用于面板、IC等泛半導(dǎo)體領(lǐng)域。在目前的2.5D封裝中,以較為主流的臺(tái)積電的CoWoS封裝為例,是先將半導(dǎo)體芯片(CPU、GPU、存儲(chǔ)器等)通過ChiponWafer(CoW)的封裝制程一起連接至中介層(Interposer)上,再通過WaferonSubstrate(WoS)的封裝制程將硅中介層連接至底層基板上;其中,中介層(interposer)一般選用硅(COWOS-S)、有機(jī)物(COWOS-R)或者是硅和有機(jī)物的結(jié)合(COWOS-L)。
玻璃材質(zhì)的引入可以取代原先的硅中介層和有機(jī)基板。玻璃基板直接利用玻璃中介層(GlassInterposer)實(shí)現(xiàn)芯片之間、芯片與外部的互聯(lián),利用玻璃材質(zhì)成本低、電學(xué)性能好、翹曲低等優(yōu)點(diǎn)來克服有機(jī)物材質(zhì)和硅材質(zhì)的缺陷,來實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定、更高效的連接以及降低生產(chǎn)成本,有望為2.5D/3D封裝帶來全新的范式改變。
玻璃基板的3D封裝方面,TGV及其相關(guān)的RDL將成為關(guān)鍵工藝。目前的3D封裝中,以HBM工藝為例,其中的關(guān)鍵技術(shù)包括TSV(Through-SiliconVias)、微凸點(diǎn)(Microbumps)、TCB鍵合(Thermo-CompressionBonding,熱壓鍵合)、混合鍵合(hybridbonding)等;對(duì)于玻璃基板的3D封裝,TGV(ThroughGlassVia,玻璃通孔)、銅孔的填充及其RDL將成為關(guān)鍵工藝。
玻璃基板優(yōu)勢(shì)顯著。根據(jù)《玻璃通孔技術(shù)研究進(jìn)展》(陳力等),玻璃基板的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:
(1)低成本:受益于大尺寸超薄面板玻璃易于獲。約安恍枰粱擋悖Aё影宓鬧譜鞒殺敬笤賈揮泄杌影宓1/8;
(2)優(yōu)良的高頻電學(xué)特性:玻璃材料是一種絕緣體材料,介電常數(shù)只有硅材料的1/3左右,損耗因子比硅材料低2~3個(gè)數(shù)量級(jí),使得襯底損耗和寄生效應(yīng)大大減。梢雜行岣嘰湫藕諾耐暾裕
(3)大尺寸超薄玻璃襯底易于獲。嚎的、旭硝子以及肖特等玻璃廠商可以量產(chǎn)超大尺寸(大于2m×2m)和超?。ㄐ∮?/span>50μm)的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料;
(4)工藝流程簡單:不需要在襯底表面及TGV內(nèi)壁沉積絕緣層,且超薄轉(zhuǎn)接板不需要二次減。
(5)機(jī)械穩(wěn)定性強(qiáng):當(dāng)轉(zhuǎn)接板厚度小于100μm時(shí),翹曲依然較。
(6)應(yīng)用領(lǐng)域廣泛:除了在高頻領(lǐng)域有良好應(yīng)用前景之外,透明、氣密性好、耐腐蝕等性能優(yōu)點(diǎn)使玻璃通孔在光電系統(tǒng)集成領(lǐng)域、MEMS封裝領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景。
來源:惠投研報(bào)
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